性能跃升 佳能新一代光刻机明年一月开售

据了解，在半导体芯片的制造工艺中，光刻机负责 " 曝光 " 电路图案。在曝光的一系列工艺中，在硅晶圆上制造出半导体芯片的工艺称为前道工艺。保护精密的半导体芯片不受外部环境的影响，并在安装时实现与外部的电气连接的封装工艺称为后道工艺。
近日，日本佳能宣布将于 2023 年 1 月上旬发售面向后道工艺的半导体光刻机新产品—— i 线步进式光刻机 "FPA-5520iV LF2 Option"。



佳能介绍，新款 i 线步进式光刻机通过 0.8 μ m 的高解像力和拼接曝光技术，使 100 x 100mm 的超大视场曝光成为可能，从而实现 2.5D 和 3D 技术相结合的超大型高密度布线封装的量产。
所谓 i 线也就是光源来自波长 365nm 的水银灯，和 EUV 光刻机使用的 13.5nm 波长激光等离子体光源区别明显。按照佳能的说法，除芯片精细化以外，封装的高密度布线也被认为是实现高性能的技术之一。可以预见，随着对更高性能半导体器件的先进封装需求的增加，后道工艺中的半导体光刻机市场将继续扩大。