FIB - SEM 系统将离子柱和电子柱整合于一体,形成了一种双束显微镜,这种结合方式在样品制备和成像分析方面展现出了巨大的优势。在样品制备过程中,首先利用 SEM 定位感兴趣的区域,确保加工的精确性。然后在目标区域沉积一层铂保护层,以防止离子束直接损伤样品表面。
接下来进行 FIB 铣削,分为粗铣削和精细铣削两个步骤。粗铣削使用高电流(如 10 nA),能够快速移除大量材料;而精细铣削则使用低电流(如 100 pA),对表面进行抛光,确保其平整度,使其适合进行高分辨率成像或作为 TEM 样品的制备。对于三维断层成像,FIB 逐层铣削(每次移除几十纳米),同时 SEM 同步进行成像,通过这种方式可以重建样品的三维结构。在制备过程中,样品需要固定在导电基底上,以避免充电效应影响 SEM 的成像质量,并且通过二次电子图像实时监控铣削进度。FIB - SEM 提供的高分辨率二次电子和背散射成像,分辨率可达亚纳米级,能够清晰地表征样品的形貌和微观结构。三维断层成像技术通过 FIB 逐层铣削和 SEM 连续成像,实现了纳米级的三维结构重建,在材料科学和生物学等领域有着广泛的应用。
FIB - TEM 结合
FIB - TEM 结合则是利用 FIB 的精确铣削能力,为透射电子显微镜(TEM)制备超薄样品,从而支持原子级分辨率的内部结构分析。针对材料分析领域,金鉴实验室提供包括FIB测试等一站式服务,涵盖各个环节,满足客户多元化的需求。FIB - TEM 技术支持亚埃级分辨率的原子成像,能够清晰地揭示晶界、缺陷和纳米颗粒等微观细节。结合选区电子衍射(SAED),可以对晶格结构和取向进行精确分析;配合 EDS 技术,则可进行元素分布映射,进一步深入了解材料的微观特性。在材料科学领域,FIB - TEM 广泛用于表征纳米结构和界面,为新型材料的研发和性能优化提供了重要依据。在半导体行业中,它用于分析晶体缺陷和器件结构,对于提高半导体器件的性能和可靠性具有关键作用。在实际应用中,需要对铣削参数进行优化,并采用低温操作等措施,以减少镓植入或样品非晶化对 TEM 图像质量的影响,从而获得更为准确和可靠的分析结果。聚焦离子束(FIB)技术以其独特的原理和强大的功能,在微纳加工与分析领域展现出了巨大的潜力和广泛的应用前景。