|
问 1、FIB制样的注意事项是什么？ 答 答:1.先判断试样成分导电与否导电性较差试样应进行喷金处理；
2.第二,FIB,断面观察SEM或TEM是否合格；TEM到底是要做一般高分辨的还是球差的，一般高分辨减薄的厚度比球差厚，最薄的可减薄至十几个nm；
3.然后切割或者采样的地点；
4.判断物料耐高压的能力,FIB制样通常使用的电压为30KV；5试样以表面抛光为佳。
问 2、FIB样品为什么需要导电？ 答 答：样品是在SEM电镜下进行操作，需要清晰观察到样品形貌，否则无法精准制样。
问 3、FIB可以做什么？ 答 答:1.FIB-SEM:FIB制备微米级样品截面，进行SEM和能谱分析；样品尺度需在2~30μm之间，切样面直径一般不得大于10μn；
2.FIB-TEM:FIB制备出满足透射电镜要求的TEM截面试样；样品包括：薄膜，块体样品和微米级颗粒；样品种类：陶瓷，金属等等。
问 4、FIB切下来的样品直接上TEM吗？是否还需要离子减薄？ 答 答：FIB切过的样品不需要离子减薄，可以直接上TEM，但要尽量减得薄一些，否则TEM不太好看，最好不要超过100 nm。
问 5、FIB-TEM的制样流程是什么? 答 答:1.找出目标位置（定位非常重要），表面喷Pt保护（样品导电则不用喷Pt）； 2.在目标地点的正面和背面分别掏空样本，在其余目标区域之后做U-cut处理；
3.用Easylift取此薄片，在铜网中焊接试样柱并标记试样位置；
4.变薄至理想厚度时，停止。
问 6、FIB制样可能引入的杂质？ 答 答：Pt和Ga，其中Pt是为了保护减薄区域，Ga是离子源。如果样品不导电可能喷Au或者喷Cr，从而引入这两种元素。
问 7、FIB切的透射薄片有孔或者部分脱落有影响吗？ 答 答：切样目的是使试样变薄，有些材料变薄后会发生局部脱落，穿孔等情况，属正常情况，存在薄的区域，对透射拍摄没有影响也可以，如离子变薄制样是将试样穿入材料中。
问 8、FIB电路修补的原理是什么？ 答 答：原理是利用镓离子撞击样品表面，搭配有机气体进行有效的选择性蚀刻(切断电路)、沉积导体或非导体(新接电路)。
问 9、FIB离子注入的优点有哪些？ 答 答：无需掩模和感光胶层，简化工艺，减少污染，提高器件的可靠性和成品率；对离子种类、电荷、能量等进行精确控制。
问 10、FIB三维重构的原理是什么？ 答 答：它主要是利用FIB对样品表面进行切割（厚度~2nm），然后利用背散射电子信号进行成像，重复上述切割和成像两个动作，本发明能够实现连续成像试样三维结构，并利用后期计算机图像处理技术得到试样三维空间结构信息。
| 
