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1. 设备型号 Gatan 685
具备样品切割和抛光两项功能； 配温控液氮冷却台，去除热效应对样品的损伤，有助于避免抛光过程中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化； 配碳/铬镀膜，对于同一个样品，可在同一[color=var(--weui-LINK)][url=]真空环境[/url]下完成抛光及镀膜，防止样品氧化，可以用于SEM/FIB导电镀膜样品制作。
2. 原理 氩离子切割技术是一种利用宽[color=var(--weui-LINK)][url=]离子束[/url]（〜1mm）来切割样品，以获得宽阔而精确的电子显微分析区域的样品表面制备技术。一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域，有效的遮蔽了下半部分的离子束，创造出一个侧切割平面，去除样品表面的一层薄膜。
氩离子抛光技术是对样品表面进行抛光，去除损伤层，从而得到高质量样品，用于在 SEM，光镜或者[color=var(--weui-LINK)][url=]扫描探针显微镜[/url]上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。
3. 性能
样品粘贴在样品载台上的一个独特的llion+样品挡板上，便于使样品准确的定位。系统筒化操作，使样品可以重复插入样品台。
4. 氩离子抛光/切割的优点
机械抛光的缺点
相比较下氩离子抛光的优点：
（1）对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬[color=var(--weui-LINK)][url=]接合部[/url]的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。 （2）比FIB方法的抛光面积更大（~1mm以上）。
设备参数：
案例分析： 图像从上到下：（A）PECS II抛光的样品表面的二次电子像，显示出高度孪晶的晶粒（B）PECS II 抛光后的[color=var(--weui-LINK)][url=]锆合金[/url]的菊池花样 （C） EBSD欧拉角分布图 （D）IPFZ 面分布。
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