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半导体器件失效分析方法汇总

kaikai 2024-7-16 14:37:12
半导体器件是现代电子技术不可或缺的基础,它们在集成电路、光电器件、半导体激光器等领域发挥着关键作用。然而,这些器件在实际应用中可能会遇到失效问题。金鉴实验室提供半导体失效分析服务,致力于改善产品品质,服务电力电子产业链中各个环节,使产业健康发展。我们拥有专业的解决方案专家顾问、质量工程师团队及高精度检测设备,具有精湛的技术与经验。经过长时间的严格执行,现已得到行业内各厂家一致认可。为了诊断和解决这些问题,需要进行细致的失效分析。由于分析过程中某些步骤可能会对器件造成不可逆的损害,因此失效分析需要按照既定的计划和步骤进行。以下是对一些常用的半导体失效分析方法的概述。1.点血测量法

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]通过对器件进行电压、电流、功率、抗干扰、门电压等各项参数测量,可初步分析器件的失效情况。例如,对于一些晶体管的失效问题,我们可以应用电可靠性测试系统,进行器件特性对比和测试,找出失效元件进而进行修复。但是,仅通过电学测量,不足以彻底揭示器件失效的原因,需要结合其他物理分析方法进行分析。

2.光学显微镜检测采用光学显微镜对器件进行观察和检测,可通过肉眼观察器件表面的显微结构和断面情况,或者通过显微摄影对器件进行图像的定量分析。此外,还可以利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜,从更微观的角度观察器件材料的微观结构和断面情况,找出器件的失效原因。例如,研究人员可以利用光学显微镜进行热失效和机械失效的分析,甚至能够进行晶片内部的有源器件结构和膜层的观察,得出失效原因。3.热分析法

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]热失效是半导体器件失效的一种重要形式。可通过热分析仪器,如微热量计、差热分析仪和热失配仪等检测仪器,对器件进行热性能测试和分析。例如,对于一些功率半导体器件的失效问题,我们可以利用热分析法进行失效模拟和测试,找出失效元件进而进行修复。注意,热分析时需要保持稳定温度,控制测试环境,以保证测试结果的准确性。

4.放电(击穿)测试法

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]放电(击穿)测试是半导体器件失效分析中的一种常用方法。通过对器件中的二极管、电容器、电阻、管子、变压器等等进行放电(击穿)测试,找出其中的失效元件。例如,对于一些电源系统失效问题,我们可以采用放电测试找到其中的故障元件,并进行更换。

5.化学解封后内部视检

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]通过化学解封装后光学显微镜检查显示OK样品与NG样品形貌是否一致,是否有其他异常特征。适用于塑料封装的非银线类产品,去除塑封方便快捷,并且芯片表面干净。

开封前

1. 对失效器件本身:(线路、结构、版图、工艺、性能、材料等)应作全面了解。2. 失效情况的调查
  • 失效器件类型、外壳、封装类型、生产厂、生产日期和批号;
  • 使用单位,使用器件的设备名称、台号、失效部位,累计运行时间,器件在设备中的功能;
  • 失效时的环境(调试、运行、高温、振动、冲击、验收成现场使用),失效时间,失效现象(开路、短路、无功能、参数变化、判别标准等),失效判断人。
3. 复测电特性,验证失效情况:所得结果是否与所报告的失效情况相符;不符时要考虑是否器件特性改变;是时好时坏的问题,还是原来数据有误。4. 初步电测试:又分功能测试和非功能测试,前者对全部电参数进行测试,后者为脚与脚之间的测试。并与同类正常器件比较由差别估计失效的部位与原因。5. 外观镜检:目检或在至少放大30倍的显微镜下进行。内容包括外引线、电镀层、锡焊等,有无机械损伤,腐蚀,标记完整性如何等。对任何异常情况,应进行拍照记录。6. 对管壳进行密封性检查:是否存在漏气。7. 必要时进行X射线照相:以检查器件结构是否正常,有无多余物存在,也可进行管壳内水汽含量分析,判别失效是否与水汽有关。8. 失效模式的分类与统计。
开封后

1.内部镜检

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]用立体显微镜或高倍显微镜检查芯片,确认内部材料、设计、结构、工艺上是否有误用、缺陷、或异常情况,是否有烧毁、腐蚀迹象,键合丝的形状、尺寸、位置是否正确,芯片有无裂纹、外来异物,颜色是否正常,铝条是否有电迁移、发黑、长毛、出现象紫斑等现象。特别要观察失效部位的形状、尺寸、大小、颜色、结构等。必要时要进行拍照记录。

2.电学测试

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]与开封前测试结果加以比较,是否有改变,管壳内是否有水汽的影响。进一步可将表面氧化层、铝条去掉,用机械探针扎在有关节点上进行静态(动态)测试、判断被隔离部分是否性能正常,分析失效原因。

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]上述几种方法只是半导体失效分析中的常见方法,不同的失效情况使用的方法也各有不同。总之,在进行失效分析时,结合多种方法进行综合分析,才能够准确找出失效原因并进行修复,提高半导体器件的使用寿命和可靠性。

3.失效模式:失效模式就是失效的外在表现形式。
  • 按持续性分类:致命性失效、间歇失效、缓慢退化。
  • 按失效时间分:早期失效、随机失效、磨损失效。
  • 按电测结果分:开路、短路或漏电、参数漂移、功能失效。
  • 按失效原因分:电应力(EOS) 和静电放电(ESD)导致的失效、制造工艺不良导致的失效。

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