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聚焦离子束扫描电镜（FIB-SEM）是一种集高分辨率成像、精确取样和三维结构重建于一体的先进材料分析技术。它在科学研究和工程领域发挥着关键作用，为材料科学、生物学等领域的研究提供了强有力的技术支持。 FIB-SEM技术概述 FIB-SEM技术通过结合聚焦离子束（FIB）的高精度加工能力和扫描电子显微镜（SEM）的高分辨率成像功能，实现了对材料微观结构的深入分析。与传统的分析技术相比，FIB-SEM能够在纳米尺度上对材料进行切割、刻蚀和沉积，同时获取材料表面的高分辨率图像。 FIB技术特点 FIB技术利用聚焦的离子束对样品进行精确加工，离子束的直径可从几百纳米聚焦至几纳米，允许在极小的区域内进行操作。这种技术不仅能够实现材料的纳米级切割，还能观察到被切割区域的原子重新沉积现象，从而获得材料任意切面的清晰图像。 FIB-SEM工作原理 FIB-SEM的工作原理在于利用高能离子束对样品进行局部的切割、刻蚀或沉积，同时通过SEM获取样品表面的高分辨率图像。离子束由离子源产生，并通过聚焦系统形成微小的束斑，用于对样品表面进行精细加工。SEM部分则通过电子束扫描样品表面，生成高分辨率的形貌图像。
为了方便大家对材料进行深入的失效分析及研究，金鉴实验室具备Dual Beam FIB-SEM业务，包括透射电镜( TEM)样品制备，材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积以及材料三维成像及分析等。FIB-SEM技术优势 1. 高精度加工：FIB产生的高能离子束能够实现纳米级的精确加工，直接观察样品内部截面，揭示其三维结构。 2. 高分辨率成像：集成的SEM提供高分辨率的表面形貌图像，反映样品的形态、成分和结构信息。 3. 广泛的样品适用性：无论是金属、陶瓷、聚合物还是生物样品，FIB-SEM都可以通过适当的样品制备方法进行分析。 样品制备要求 1. 块体样品需制备至约30nm厚；粉末样品需提供约10mg。 2. 样品应具有良好的导电性，必要时需进行喷金或喷碳处理以提高导电性。 3. 透射样品制备需保证样品厚度适合透射电镜拍摄。 4. 对含磁性元素的样品，需提供粉末样品以验证其磁性特性。 常见问题解答 1. 透射薄片的孔洞或脱落：在减薄过程中，部分材料可能会出现脱落或穿孔，这通常不会影响透射电镜的拍摄。 2. FIB制样注意事项：需考虑样品的导电性、制样目的、切割或取样位置、材料的耐高压性以及样品表面的抛光情况。 3. 样品导电性：样品在SEM下操作需要良好的导电性以清晰观察形貌。 4. FIB的应用范围：包括FIB-SEM和FIB-TEM，适用于不同尺度和类型的样品分析。 FIB制样可能引入的杂质 在FIB制样过程中，可能会引入Pt和Ga等杂质，其中Pt用于保护减薄区域，Ga为离子源。如果样品不导电，可能还会喷Au或Cr，从而引入这些元素。 FIB-SEM技术的应用范围 1. 材料科学：深入观察金属、陶瓷、半导体等材料的内部结构。 2. 纳米科技：制造和表征纳米器件，实现高性能的纳米电子器件和传感器。 3. 生物医学：观察细胞和组织的三维结构，为疾病诊断和新药开发提供技术支持。
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