结合连续切片技术的三维重构:通过与连续切片技术相结合,FIB - SEM 可以重构出芯片的三维电路结构。这种三维重构不仅能够更直观地展示芯片的内部布局,还能够辅助进行缺陷定位与设计验证。在芯片的研发过程中,及时发现并定位缺陷是提高产品质量和性能的关键环节,而三维重构技术能够从多个角度对芯片进行分析,更全面地发现潜在问题,从而为优化设计提供有力支持。
2.透射电镜(TEM)样品制备
超薄样品的制备:利用离子束逐层减薄的原理,FIB - SEM 可以制备出厚度小于 100 纳米的超薄样品。这种超薄样品能够保留原子级的晶格信息,为透射电镜(TEM)的高分辨率成像提供了理想的样品。
在微观材料研究中,TEM 是一种极其重要的分析手段,它能够观察到材料的原子结构和晶体缺陷等微观细节。而 FIB - SEM 制备的超薄样品能够满足 TEM 对样品厚度和质量的严格要求,使得 TEM 能够充分发挥其高分辨率的优势,为材料的微观结构研究提供更深入、更准确的信息。
先进制程中的精准分析:在 3 纳米以下的先进制程中,芯片的结构和性能对材料的微观特性要求极高。FIB - SEM 能够精准分析栅极氧化层缺陷与界面特性,这对于提高芯片的性能和可靠性至关重要。栅极氧化层是晶体管中的关键结构之一,其质量直接影响着晶体管的开关性能和稳定性。
通过 FIB - SEM 的精准分析,可以及时发现栅极氧化层中的缺陷,如厚度不均匀、杂质掺杂不均匀等,并对界面特性进行深入研究,从而为改进制程工艺、提高芯片质量提供有力的技术支持。
3.芯片线路修改
线路切断与修复:FIB - SEM 可以切断短路线路,同时也能沉积导电材料(如铂、钨)来修复断路。这种线路修改功能对于多项目晶圆(MPW)的迭代优化具有重要意义。金鉴实验室的 FIB 线路修改服务,通过高精度的离子束沉积技术,能够实现局部线路的精准修复,同时提供修改后的功能验证服务,确保修改后的芯片性能符合设计要求。
气体注入系统的辅助作用:气体注入系统(GIS)是 FIB - SEM 的一个重要组成部分,它能够实现局部区域的金属 / 绝缘层选择性沉积。这种选择性沉积技术可以根据需要在特定位置沉积不同材料,从而实现对芯片局部结构的精确改造。
聚焦离子束双束系统 FIB - SEM 凭借其独特的技术原理和强大的功能优势,在半导体芯片研发与失效分析等领域展现出了巨大的应用潜力和价值。随着技术的不断发展和创新,FIB - SEM 系统将在更多的领域发挥重要作用,为微观材料研究和高端制造业的发展提供有力的技术支撑。金鉴作为国内领先的光电半导体检测实验室,将优化设备性能和人员技术,为客户提供更高效、更精准的微观加工与分析服务。