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氩离子抛光系统的介绍 氩离子抛光系统采用两支具有低能聚集的离子枪，可提供快速柔和的抛光效果。低至100eV的离子束提供更柔和的抛削效果，用于样品的抛光。新型低能聚焦电极使得离子束的直径在几乎整个加速电压范围内都保持恒定。每个枪都可准确独立地将离子束对中在样品上，从而产生极高的离子抛光速率。在操作过程中，可随时改变枪的角度。通过控制气体流量可将枪电流变化范围控制在0~100mA之间。在触摸屏上通过手动或者自动方式调节气体流量使每个枪的工作电流得到最优化。
氩离子抛光系统的特点 1. 气锁装置实现快速样品交换、始终保持洁净的高真空状态 2. 10英寸触摸屏可对系统进行完全控制与监测 3. 配方模式的控制界面，用于一键操作 4. 质量流量控制器提供精确和可重复的氩离子电流的控制 5. 枪电压范围为100V到8000V的三元（阴极、阳极与聚焦极）构造的离子枪 6. 每个枪的抛光角度可调范围为-10度~10度，增量为0.1度 7. 扇形抛光角度可变且可程序化，范围从10度~90度 8. 离子枪无需零件更换，寿命超过30,000小时 9. 特制样品/挡板配置，装样简单，再次抛光位置准确 10. 独特的离子束调制功能，可进行扇形抛光和平面抛光 11. 洁净的真空系统，分子泵与隔膜泵搭配 12. 操作简单，维护方便 抛光前- 俯视SEM图样品 抛光90S后SEM图样品
产品主要技术参数： 1、 离子枪：两个配有稀土磁铁的三元构造（阴极、阳极与聚焦极）的离子枪，聚焦离子束设计,高性能无耗材 2、 抛光角度： +10° 到 -10° ，每个离子枪可独立调节 3、 离子束能量：100 V 到 8.0 kV 4、 离子束流密度：10 mA/cm2 峰值 5、 抛光速度：300 μm/h（8.0 kV条件下对于硅试样） 6、样品装载：特制的样品挡板, 装样简单，再次抛光位置准确，可重复使用 7、样品旋转：0.5到6 rpm连续可调 8、束流调制：独特的离子束调制功能，可进行扇形截面抛光（扇形角度为10到90度可调）和平面抛光 9、液氮冷台：配置液氮冷台，样品最低温度可达-120°C，有效减少离子束对样品造成的损伤 10、干泵系统：两级隔膜泵支持80升/秒的涡轮分子泵 11、压力：5x10-6 托基本压力，8.5x10-5托工作压力 12、真空规：冷阴极型，用于主样品室；固体型，用于前级机械泵 13、样品空气锁：独特的设计，样品更换时间<1Min，无需破样品室真空 14、10 英寸触摸屏：操作简单，且能够完全程序化控制所有参数可进行配方操作。 15、配方操作模式：自定义不同的加工参数组合，实现一键操作。
产品主要应用领域： EBSD样品制备 截面样品制备 金属材料（合金，镀层） 石油地质岩石矿物 光电材料 化工高分子材料 新能源电池材料 电子半导体器件
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