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在半导体故障失效分析的过程中，光发射显微镜（EMMI）是一种关键的故障点定位工具。这种设备通过检测电子-空穴复合和热载流子释放的光子，帮助识别半导体元件中的缺陷。传统的EMMI设备使用冷却式电荷耦合元件（C-CCD）传感器，能够探测400nm至1100nm波长的光子，覆盖了可见光和部分红外光的光谱。
InGaAs EMMI设备则在这一基础上进行了改进，具有更高的灵敏度，并能探测更宽的波长范围（900nm至1700nm），这使得它能够更有效地捕捉到红外光。当半导体元件在电压作用下产生电子-空穴对或热载流子时，这些过程会以光子的形式释放能量，EMMI设备便能捕捉到这些光子，从而定位故障点，通常称为“热点”或“亮点”。这种方法对于识别如接面漏电、氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应等多种故障模式至关重要。
滨松公司在30多年前就开始了在半导体失效分析领域的研究，并在1987年推出了第一代光发射显微镜。随着技术的进步，滨松不断开发新的产品，如C-CCD、Si-CCD和InGaAs相机，以满足不同应用需求。然而，这些高端设备的高昂价格使得许多公司难以承担。
为了解决这一问题，金鉴实验室采用了日本进口的InGaAs传感器，并结合先进的算法和图像传感技术，开发了一套价格更亲民但功能强大的EMMI定位系统。这套系统不仅提供了精确的数据整理和便捷的操作，还体现了一线测试工程师在设备研发中的重要性，真正实现了高性价比的
故障分析解决方案。金鉴实验室拥有自主研发的EMMI，如下图所示。
仪器特点： ①InGaAs采集相机，在近红外区域具备高灵敏度； ②分辨率高； ③多倍率图像采集：5X~100X； ④超低温电制冷降低暗电流带来的信噪； ⑤电制冷/空气冷却自由转换。
应用范围：
①LED故障分析 ②太阳能电池评估 ③半导体失效分析 ④EL/PL图像采集 ⑤光通信设备分析
检测到亮点的情况： 引起热点的缺陷：会产生亮点的缺陷-漏电结；接触毛刺；热电子效应；闩锁效应；氧化层漏电；多晶硅晶须；衬底损伤；物理损伤等。 原本存在的亮点：饱和/有源双极晶体管、饱和MOS/动态CMOS、正向偏置二极管/反向偏置二极管（击穿）。 无法检测到亮点的情况： 无光点的缺陷、欧姆接触、金属互联短路、表面反型层和硅导电通路等。
案例分析
1、客户送样漏电LED蓝光芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片正极电极位置检测到异常点。
2、客户送样漏电LED蓝光倒装芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点，并观察到击穿形貌。
3、客户送样漏电LED红光垂直芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点。
4、客户送样硅基芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点。
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