聚焦离子束(Focused Ion Beam,简称 FIB)技术作为一种前沿的纳米级加工与分析手段,近年来在众多领域崭露头角。它巧妙地融合了离子束技术与扫描电子显微镜(SEM)技术的优势,凭借其独特的原理、广泛的应用场景以及显著的优势,成为现代科学研究与工业生产中不可或缺的重要工具。 聚焦离子束系统的核心
铂保护层沉积(Platinum deposition):采用电子束或离子束辅助沉积的方法,在待制备TEM试样的表面蒸镀一层铂保护覆层。这层保护覆层的作用在于防止最终的TEM试样在后续加工过程中受到Ga离子束的辐照损伤,从而确保样品的完整性和分析的准确性。粗加工(Bulk-out):在待制备的TEM试样两侧,利用较大的离子束流快速挖取“V”型凹坑,为后续的薄片切割提供初步的形状基础。这一步骤的关键在于快速去除多余材料,同时尽量减少对目标区域的影响。U型切割(U-cut):在粗加工的基础上,对TEM薄片的两端和底部进行切除,形成一个较为规则的薄片形状。这一步骤需要精确控制离子束的参数,以确保薄片的厚度和形状符合要求。取出(Lift-out):使用显微操控针将TEM试样从块状基体中移出,并通过蒸镀铂的方式将试样与针粘结在一起。这一步骤需要极高的操作精度,以避免样品在转移过程中受损。安装(Mount on Cu half-grid):将移出的TEM薄片转移到预先准备好的TEM支架上,并进行粘接固定。这一步骤需要确保薄片与支架之间的良好接触,以便于后续的分析工作。最终减薄(Final milling):利用较小的离子束流对TEM薄片进行进一步减薄,直至其厚度达到约100纳米左右。这一步骤是制备TEM样品的关键环节,需要精确控制离子束的能量和束流大小,以确保薄片的厚度均匀且满足TEM分析的要求。实用案例分享